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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.521805
10
¥14.643213
100
¥13.814348
500
¥13.032405
1000
¥12.294723
STMicroelectronics STS9P2UH7
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- 对比
STS9P2UH7
2381-STS9P2UH7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STS9P2UH7详情
STMicroelectronics STS9P2UH7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
506.605978mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
2.7W Tc
Turn Off Delay Time
128 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
STripFET™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STS9P
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
12.5 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
22.5m Ω @ 4.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2390pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 4.5V
上升时间
30.5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
84.5 ns
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STS9P2UH7拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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