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首页 全部分类 DMT6009LCT vs IPA093N06N3GXKSA1

DMT6009LCT备选型号: IPA093N06N3GXKSA1

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  • 输入电容
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  • RoHS状态
  • 引脚数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT6009LCT
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220AB
    37.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    12mOhm @ 13.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1925pF @ 30V
    33.5nC @ 10V
    60V
    ±16V
    37.2A
    1.925nF
    12 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA093N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Full-Pack
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    9.3m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 34μA
    3900pF @ 30V
    48nC @ 10V
    -
    ±20V
    43A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    OptiMOS™
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    15 ns
    SWITCHING
    无卤素
    40ns
    5 ns
    TO-220AB
    20V
    60V
    172A
    无铅
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