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首页 全部分类 DMT6009LCT vs IPP120N06NGAKSA1

DMT6009LCT备选型号: IPP120N06NGAKSA1

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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Diodes Incorporated
    DMT6009LCT
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220AB
    37.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    12mOhm @ 13.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1925pF @ 30V
    33.5nC @ 10V
    60V
    ±16V
    37.2A
    1.925nF
    12 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP120N06NGAKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    12m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 94μA
    2100pF @ 30V
    62nC @ 10V
    60V
    ±20V
    75A
    -
    -
    符合RoHS标准
    3
    SILICON
    OptiMOS™
    e3
    yes
    3
    EAR99
    哑光锡
    雪崩 额定
    SINGLE
    260
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    TO-220AB
    0.012Ohm
    60V
    280 mJ
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