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首页 全部分类 DMT6009LCT vs IRFB3507PBF

DMT6009LCT备选型号: IRFB3507PBF

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  • 输入电容
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  • 引脚数
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  • 额定电流
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 漏源电阻
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT6009LCT
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220AB
    37.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    12mOhm @ 13.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1925pF @ 30V
    33.5nC @ 10V
    60V
    ±16V
    37.2A
    1.925nF
    12 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRFB3507PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220AB
    97A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    N-Channel
    8.8mOhm @ 58A, 10V
    4V @ 100μA
    3540pF @ 50V
    130nC @ 10V
    75V
    ±20V
    97A
    3.54nF
    8.8 mΩ
    符合RoHS标准
    3
    HEXFET®
    75V
    97A
    190W
    20 ns
    81ns
    49 ns
    20V
    75V
    7mOhm
    无
    无铅
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