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首页 全部分类 DMTH10H030LK3-13 vs DMC3021LK4-13

DMTH10H030LK3-13备选型号: DMC3021LK4-13

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMTH10H030LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 100V 28A TO252
    27 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    SILICON
    28A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 20A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    28A
    0.045Ohm
    50A
    100V
    85 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMC3021LK4-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    SILICON
    9.4A 6.8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    260
    -
    40
    R-PSSO-G4
    -
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel, Common Drain
    SWITCHING
    21m Ω @ 7A, 10V
    2.1V @ 250μA
    751pF @ 10V
    17.4nC @ 10V
    -
    -
    6.8A
    -
    40A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    5
    3.949996g
    yes
    2.7W
    DMC3021
    4
    2
    2.5 ns
    6.6ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    6.3 ns
    20V
    6.7A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    无
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