Diodes Incorporated DMC3021LK4-13

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

引脚数

5

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A 6.8A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

2.7W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DMC3021

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G4

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

2.5 ns

场效应管类型

N and P-Channel, Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

21m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

751pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.4nC @ 10V

上升时间

6.6ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

6.3 ns

连续放电电流(ID)

6.8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.7A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant