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首页 全部分类 DMTH6004SK3-13 vs FDD86567-F085

DMTH6004SK3-13备选型号: FDD86567-F085

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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 达到SVHC
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 终止次数
  • HTS代码
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Diodes Incorporated
    DMTH6004SK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
    23 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    4V @ 250μA
    3.9W Ta 180W Tc
    2015
    Automotive, AEC-Q101
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    3.8m Ω @ 90A, 10V
    4556pF @ 30V
    95.4nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86567-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
    38 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    4V @ 250μA
    100A Tc
    -
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    260
    未说明
    N-Channel
    3.2m Ω @ 80A, 10V
    4950pF @ 30V
    82nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    260.37mg
    SILICON
    MKT-TO252A03REV11
    2
    8541.29.00.95
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    227W
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0032Ohm
    60V
    115 mJ
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