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首页 全部分类 DMTH6004SK3-13 vs IPD90N06S4L03ATMA2

DMTH6004SK3-13备选型号: IPD90N06S4L03ATMA2

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • Diodes Incorporated
    DMTH6004SK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    3.8m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 250μA
    4556pF @ 30V
    95.4nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD90N06S4L03ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    not_compliant
    -
    N-Channel
    3.5m Ω @ 90A, 10V
    2.2V @ 90μA
    13000pF @ 25V
    170nC @ 10V
    -
    ±16V
    90A
    ROHS3 Compliant
    3
    3.949996g
    SILICON
    2
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    21 ns
    无卤素
    6ns
    20 ns
    16V
    60V
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