DMTH6010LPD-13备选型号: DMT6009LK3-13
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN813.1A Ta 47.6A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)2.8W未说明未说明2 N-Channel (Dual)11m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA2615pF @ 30V40.2nC @ 10V60V47.6AStandardROHS3 Compliant------------------
- MOSFET BVDSS: 41V 60V TO25223 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-13.3A Ta 57A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2015e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)-未说明未说明N-Channel10m Ω @ 13.5A, 10V2V @ 250μA1925pF @ 30V33.5nC @ 10V60V57A-ROHS3 CompliantSILICON2HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼not_compliantAEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING±16V13.3A0.01Ohm90A60V20.6 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R | 对比 |
![]() | IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 71A DPAK | 对比 |
![]() | DMT6009LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 | 对比 |






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