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首页 全部分类 DMTH6010LPD-13 vs IRFR7546TRPBF

DMTH6010LPD-13备选型号: IRFR7546TRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 场效应管特性
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMTH6010LPD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    13.1A Ta 47.6A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.8W
    未说明
    未说明
    2 N-Channel (Dual)
    11m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    2615pF @ 30V
    40.2nC @ 10V
    60V
    47.6A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR7546TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    StrongIRFET™
    2007
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    未说明
    未说明
    N-Channel
    7.9m Ω @ 43A, 10V
    3.7V @ 100μA
    3020pF @ 25V
    87nC @ 10V
    60V
    56A
    -
    ROHS3 Compliant
    3.949996g
    SILICON
    2
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.1 ns
    SWITCHING
    28ns
    ±20V
    20 ns
    3.7V
    TO-252AA
    20V
    0.0079Ohm
    280A
    60V
    无SVHC
    无铅
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