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DN2625K4-G备选型号: RFP8P05

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 无铅
  • Microchip Technology
    DN2625K4-G
    Microchip Technology
    MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    1.1A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    低阈值
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    1
    Single
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 1A, 0V
    1000pF @ 25V
    7.04nC @ 1.5V
    20ns
    ±20V
    20 ns
    1.1A
    20V
    250V
    耗尽模式
    2.39mm
    6.73mm
    6.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RFP8P05
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 50V 8A TO-220AB
    -
    表面贴装
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    -
    8A Tc
    -
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    P-Channel
    -
    300m Ω @ 8A, 10V
    -
    80nC @ 20V
    30ns
    -
    20 ns
    3.1A
    20V
    -50V
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    175°C
    -55°C
    -50V
    2.5W
    -8A
    48W
    4V @ 250μA
    50V
    420pF
    含铅
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