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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.290074
10
¥10.651013
100
¥10.048126
500
¥9.479364
1000
¥8.942796
Microchip Technology DN2625K4-G
- 收藏
- 对比
DN2625K4-G
1610-DN2625K4-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DN2625K4-G详情
Microchip Technology DN2625K4-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.1A Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低阈值
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
通道数量
1
元素配置
Single
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 1A, 0V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.04nC @ 1.5V
上升时间
20ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
1.1A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
250V
场效应管特性
耗尽模式
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DN2625K4-G拓展信息
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