DXT5551P5-13备选型号: DZT5551-13

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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    PowerDI™ 5
    5
    95.991485mg
    SILICON
    POWERDI-5
    160V
    200mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.25W
    DUAL
    FLAT
    260
    130MHz
    40
    DXT5551
    4
    R-PDSO-F3
    Single
    2.25W
    COLLECTOR
    AMPLIFIER
    130MHz
    NPN
    NPN
    160V
    600mA
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    130MHz
    160V
    180V
    6V
    600mA
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    7.994566mg
    SILICON
    -
    200V
    115mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    -
    1W
    DUAL
    鸥翼
    260
    300MHz
    40
    DZT5551
    4
    -
    Single
    2W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    300MHz
    NPN
    NPN
    160V
    600mA
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    100MHz
    160V
    180V
    6V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    150°C
    1.8mm
    6.7mm
    3.7mm
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