DXT5551P5-13备选型号: DZT5551-13
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA15 Weeks表面贴装表面贴装PowerDI™ 5595.991485mgSILICONPOWERDI-5160V200mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY2.25WDUALFLAT260130MHz40DXT55514R-PDSO-F3Single2.25WCOLLECTORAMPLIFIER130MHzNPNNPN160V600mA80 @ 10mA 5V50nA ICBO200mV @ 5mA, 50mA130MHz160V180V6V600mA无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R19 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA47.994566mgSILICON-200V115mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99--1WDUAL鸥翼260300MHz40DZT55514-Single2WCOLLECTORSWITCHING300MHzNPNNPN160V600mA80 @ 10mA 5V50nA ICBO200mV @ 5mA, 50mA100MHz160V180V6V-无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tin150°C1.8mm6.7mm3.7mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DXT5551-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3 | 对比 |
![]() | DZT5551-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | MMBT5551 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | 对比 |






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