ON Semiconductor MMBT5551

工厂交货时间

31 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

160V

最大功率耗散

350mW

额定电流

600mA

频率

300MHz

基本部件号

MMBT5551

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

160V

最高频率

300MHz

最大击穿电压

160V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.2mm

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅