ECH8601M-TL-H备选型号: ECH8655R-TL-H
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 电阻
- 基本部件号
- 功率耗散
- MOSFET NCH NCH 2.5V DRIVE SERIES表面贴装8-SMD, Flat LeadYES8SILICON8A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.5W8Dual增强型MOSFET300 ns2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING23m Ω @ 4A, 4.5V1.3V @ 1mA无卤素7.5nC @ 4.5V1μs24V1.8 μs8A12V8A0.03Ohm60A24VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V Drive900μm2.9mm2.3mm无符合RoHS标准无铅-----
- MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8表面贴装8-SMD, Flat Lead-8-2.4 μs150°C TJTape & Reel (TR)2008e6yes活跃1 (Unlimited)-EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.4W8Dual-320 ns2 N-Channel (Dual)-17m Ω @ 4.5A, 4.5V-无卤素16.8nC @ 10V1.1μs24V2.1 μs9A12V-----逻辑电平门900μm2.9mm2.3mm无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4 Weeks17mOhmECH8655R1.5W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ECH8655R-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 | 对比 |
![]() | ECH8651R-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 | 对比 |



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