ON Semiconductor ECH8651R-TL-H
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ECH8651R-TL-H
1807-ECH8651R-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Flat Lead
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MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
--最小包装量--
ECH8651R-TL-H详情
ON Semiconductor ECH8651R-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
安装类型
表面贴装
引脚数
8
Turn Off Delay Time
4 μs
Number of Elements
2
已出版
2012
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1.4W
基本部件号
ECH8651R
引脚数量
8
元素配置
Dual
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
300 ns
功率 - 最大
1.5W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 5A, 4.5V
无卤素
无卤素
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
上升时间
1μs
漏源电压 (Vdss)
24V
下降时间(典型值)
2.5 μs
连续放电电流(ID)
10A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
24V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
2.3mm
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
无铅
无铅
ECH8651R-TL-H拓展信息









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