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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.169071
10
¥7.706674
100
¥7.270447
500
¥6.85891
1000
¥6.470666
ON Semiconductor ECH8655R-TL-H
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- 对比
ECH8655R-TL-H
1807-ECH8655R-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Flat Lead
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MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ECH8655R-TL-H详情
ON Semiconductor ECH8655R-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
Turn Off Delay Time
2.4 μs
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
17mOhm
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1.4W
基本部件号
ECH8655R
引脚数量
8
元素配置
Dual
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
320 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
17m Ω @ 4.5A, 4.5V
无卤素
无卤素
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.8nC @ 10V
上升时间
1.1μs
漏源电压 (Vdss)
24V
下降时间(典型值)
2.1 μs
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
2.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ECH8655R-TL-H拓展信息








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