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首页 全部分类 ECH8601M-TL-H vs EMH2418R-TL-H

ECH8601M-TL-H备选型号: EMH2418R-TL-H

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • ON Semiconductor
    ECH8601M-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH NCH 2.5V DRIVE SERIES
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    SILICON
    8A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.5W
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    300 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    23m Ω @ 4A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    无卤素
    7.5nC @ 4.5V
    1μs
    24V
    1.8 μs
    8A
    12V
    8A
    0.03Ohm
    60A
    24V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    EMH2418R-TL-H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 24V 9A 8-Pin SOT-383FL
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    8
    -
    17.5 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.3W
    -
    -
    -
    120 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    15m Ω @ 4A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    -
    4.4nC @ 4.5V
    170ns
    24V
    22.6 μs
    9A
    12V
    -
    -
    -
    -
    -
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
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