ECH8651R-TL-H备选型号: ECH8697R-TL-W
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 生命周期状态
- 底架
- Reach合规守则
- 通道数量
- MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH88 Weeks8-SMD, Flat Lead表面贴装84 μs2012Tape & Reel (TR)150°C TJe6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.4WECH8651R8Dual1.4W300 ns1.5W2 N-Channel (Dual)14m Ω @ 5A, 4.5V无卤素24nC @ 10V1μs24V2.5 μs10A12V24V逻辑电平门900μm2.9mm2.3mm符合RoHS标准无无铅----
- MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-2820 Weeks8-SMD, Flat Lead表面贴装-19.7 μs2013Tape & Reel (TR)150°C TJe6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.5W--Dual-160 ns-2 N-Channel (Dual) Common Drain11.6m Ω @ 5A, 4.5V-6nC @ 4.5V230ns24V23.6 μs10A12.5V24VLogic Level Gate, 2.5V Drive---ROHS3 Compliant-无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)表面贴装not_compliant2
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EMH2418R-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | Trans MOSFET N-CH 24V 9A 8-Pin SOT-383FL | 对比 |
![]() | ECH8655R-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 | 对比 |



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