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首页 全部分类 ECH8655R-R-TL-H vs ECH8697R-TL-W

ECH8655R-R-TL-H备选型号: ECH8697R-TL-W

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 操作温度
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    ECH8655R-R-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    2.4 μs
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e6
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    150°C
    -55°C
    1.4W
    320 ns
    1.1μs
    N-CHANNEL
    2.1 μs
    9A
    12V
    9A
    24V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    17mOhm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8697R-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    19.7 μs
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e6
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    160 ns
    230ns
    -
    23.6 μs
    10A
    12.5V
    -
    24V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    150°C TJ
    yes
    EAR99
    1.5W
    not_compliant
    2
    Dual
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    11.6m Ω @ 5A, 4.5V
    6nC @ 4.5V
    24V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    无铅
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