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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.937718
10
¥2.771434
100
¥2.614558
500
¥2.466561
1000
¥2.326944
ON Semiconductor ECH8655R-R-TL-H
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- 对比
ECH8655R-R-TL-H
1807-ECH8655R-R-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Flat Lead
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MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ECH8655R-R-TL-H详情
ON Semiconductor ECH8655R-R-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
Turn Off Delay Time
2.4 μs
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e6
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
320 ns
上升时间
1.1μs
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
2.1 μs
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏源击穿电压
24V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
17mOhm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ECH8655R-R-TL-H拓展信息









哦! 它是空的。