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首页 全部分类 EFC4626R-TR vs DMP2100U-7

EFC4626R-TR备选型号: DMP2100U-7

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    EFC4626R-TR
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH NCH 2.5V DRIVE
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-XFBGA
    4
    22 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.4W
    未说明
    未说明
    2
    20 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    7.5nC @ 4.5V
    350ns
    24V
    38.4 μs
    10V
    5A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    37.5mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2100U-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
    -
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    4.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    260
    40
    1
    80 ns
    P-Channel
    9.1nC @ 4.5V
    155ns
    20V
    423 ns
    10V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    7.994566mg
    SILICON
    2012
    e3
    3
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    SWITCHING
    38m Ω @ 3.5A, 10V
    1.4V @ 250μA
    216pF @ 15V
    ±10V
    4.3A
    -1.4V
    -20V
    1.1mm
    3mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
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