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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.6993
10
¥3.489903
100
¥3.29236
500
¥3.106003
1000
¥2.930191
ON Semiconductor EFC4626R-TR
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- 对比
EFC4626R-TR
1807-EFC4626R-TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
4-XFBGA
大陆
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MOSFET NCH NCH 2.5V DRIVE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
EFC4626R-TR详情
ON Semiconductor EFC4626R-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-XFBGA
引脚数
4
Turn Off Delay Time
22 μs
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.4W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
2
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.5nC @ 4.5V
上升时间
350ns
漏源电压 (Vdss)
24V
下降时间(典型值)
38.4 μs
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电阻
37.5mOhm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
EFC4626R-TR拓展信息










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