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首页 全部分类 EFC4626R-TR vs 3LP01M-TL-H

EFC4626R-TR备选型号: 3LP01M-TL-H

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  • 最大功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    EFC4626R-TR
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH NCH 2.5V DRIVE
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-XFBGA
    4
    22 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.4W
    未说明
    未说明
    2
    20 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    7.5nC @ 4.5V
    350ns
    24V
    38.4 μs
    10V
    5A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    37.5mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    3LP01M-TL-H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin MCP T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    100mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    24 ns
    P-Channel
    1.43nC @ 10V
    55ns
    30V
    130 ns
    10V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2000
    e6
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3
    Single
    150mW
    10.4 Ω @ 50mA, 4V
    无卤素
    7.5pF @ 10V
    ±10V
    100mA
    -30V
    900μm
    2mm
    1.25mm
    无
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