EM6K6T2R备选型号: DMC2990UDJ-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 端子位置
- 参考标准
- 通道数量
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 极性/通道类型
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT616 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2007e2yes活跃1 (Unlimited)6EAR99锡铜150mWFLAT26010*K66Dual增强型MOSFET150mW5 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING1 Ω @ 300mA, 4V1V @ 1mA25pF @ 10V10ns20V10 ns300mA8V0.3A1.4Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET N/P-CH 20V SOT96316 Weeks表面贴装表面贴装SOT-9636SILICON450mA 310mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1999e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)350mWFLAT--DMC2990--增强型MOSFET-5.8 nsN and P-ChannelSWITCHING990m Ω @ 100mA, 4.5V1V @ 250μA27.6pF @ 15V5.7ns-16.4 ns310mA8V0.31A0.99Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅HIGH RELIABILITYDUALAEC-Q10120.5nC @ 4.5VN-CHANNEL AND P-CHANNEL450μm1.05mm850μm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-963 | MOSFET N/P-CH 20V SOT963 | 对比 |
![]() | DMN2990UFZ-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606 | 对比 |
![]() | DMP21D2UFA-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 | 对比 |





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