EPC2035备选型号: BSP315PL6327HTSA1
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 辐射硬化
- GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE12 Weeks表面贴装表面贴装DieDie1A Ta-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)eGaN®2012活跃1 (Unlimited)150°C-40°CN-Channel45mOhm @ 1A, 5V2.5V @ 800μA115pF @ 30V1.15nC @ 5V60V+6V, -4V1A115pF45 mΩROHS3 Compliant-------
- Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AAPG-SOT223-41.17A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®1999Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CP-Channel800mOhm @ 1.17A, 10V2V @ 160μA160pF @ 25V7.8nC @ 10V60V±20V1.17A160pF800 mΩ符合RoHS标准41.8W24 ns9ns19 ns20V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 对比 |
![]() | ZXMN6A07FTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXMN6A07F Series 60 V 0.25 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 | 对比 |
![]() | BSP315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |






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