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首页 全部分类 EPC2035 vs IRLML2060TRPBF

EPC2035备选型号: IRLML2060TRPBF

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  • 晶体管应用
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2035
    EPC
    GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    1A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    45mOhm @ 1A, 5V
    2.5V @ 800μA
    115pF @ 30V
    1.15nC @ 5V
    60V
    +6V, -4V
    1A
    115pF
    45 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2060TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    480m Ω @ 1.2A, 10V
    2.5V @ 25μA
    64pF @ 25V
    0.67nC @ 4.5V
    -
    ±16V
    1.2A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    480MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    4.9 ns
    SWITCHING
    3.8ns
    2.8 ns
    2.5V
    16V
    60V
    4.8A
    21 ns
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    无铅
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