EPC2037ENGR备选型号: BSP296NH6327XTSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大rds
- 电容-输入
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- TRANS GAN 100V BUMPED DIE表面贴装2012150°C-40°C100V1A550 mΩ12.5pF符合RoHS标准-----------------------------------------------
- Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R表面贴装2013---1.2A--ROHS3 Compliant10 WeeksTin表面贴装TO-261-4, TO-261AA4250.212891mgSILICONPG-SOT223-41.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3活跃1 (Unlimited)4EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL鸥翼未说明未说明1Single增强型MOSFET1.8WDRAIN3.5 nsN-Channel600m Ω @ 1.2A, 10V1.8V @ 100μA无卤素152.7pF @ 25V6.7nC @ 10V7.9ns±20V21.4 ns1.4V20V100V0.6Ohm100V150°C1.8mm6.5mm3.5mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin SOT-223 T/R | 对比 |




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