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首页 全部分类 EPC2110ENGRT vs FDM3622

EPC2110ENGRT备选型号: FDM3622

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  • 输入电容
  • 场效应管特性
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2110ENGRT
    EPC
    TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    3.4A
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    2 N-Channel (Dual) Common Source
    60mOhm @ 4A, 5V
    2.5V @ 700μA
    80pF @ 60V
    0.8nC @ 5V
    120V
    3.4A
    80pF
    GaNFET (Gallium Nitride)
    60 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDM3622
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin MicroFET T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    -
    4.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    60m Ω @ 4.4A, 10V
    4V @ 250μA
    1090pF @ 25V
    17nC @ 10V
    -
    4.4A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Tin
    8
    210mg
    SILICON
    e4
    yes
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    100V
    DUAL
    FLAT
    4.4A
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    25ns
    ±20V
    26 ns
    4V
    20V
    0.06Ohm
    100V
    950μm
    3mm
    2mm
    无SVHC
    无
    无铅
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