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首页 全部分类 EPC2110ENGRT vs FDS86242

EPC2110ENGRT备选型号: FDS86242

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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2110ENGRT
    EPC
    TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    3.4A
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    2 N-Channel (Dual) Common Source
    60mOhm @ 4A, 5V
    2.5V @ 700μA
    80pF @ 60V
    0.8nC @ 5V
    120V
    3.4A
    80pF
    GaNFET (Gallium Nitride)
    60 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS86242
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    4.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    67m Ω @ 4.1A, 10V
    4V @ 250μA
    760pF @ 75V
    13nC @ 10V
    -
    4.1A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    8
    130mg
    SILICON
    e4
    yes
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    7.9 ns
    SWITCHING
    10ns
    ±20V
    10 ns
    2V
    20V
    0.067Ohm
    150V
    150°C
    3.5 V
    5 pF
    1.75mm
    4mm
    5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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