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首页 全部分类 EPC2110ENGRT vs SSM3K361R,LF

EPC2110ENGRT备选型号: SSM3K361R,LF

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  • 输入电容
  • 场效应管特性
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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • EPC
    EPC2110ENGRT
    EPC
    TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    3.4A
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    2 N-Channel (Dual) Common Source
    60mOhm @ 4A, 5V
    2.5V @ 700μA
    80pF @ 60V
    0.8nC @ 5V
    120V
    3.4A
    80pF
    GaNFET (Gallium Nitride)
    60 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SSM3K361R,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-3 Flat Leads
    -
    3.5A Ta
    175°C
    Tape & Reel (TR)
    U-MOSVIII-H
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    69m Ω @ 2A, 10V
    2.5V @ 100μA
    430pF @ 15V
    3.2nC @ 4.5V
    100V
    3.5A
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    yes
    3
    DUAL
    unknown
    AEC-Q101
    R-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    ±20V
    0.069Ohm
    14A
    100V
    9.1 mJ
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