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首页 全部分类 ES6U2T2R vs DMN2300UFB-7B

ES6U2T2R备选型号: DMN2300UFB-7B

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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 箱体转运
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    ES6U2T2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    SILICON
    1.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    防静电
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    R-PDSO-F6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    110pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    5ns
    ±10V
    3 ns
    1.5A
    10V
    0.24Ohm
    20V
    Schottky Diode (Isolated)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2300UFB-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    SILICON
    1.32A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    BOTTOM
    -
    260
    40
    3
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    4.92 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    175m Ω @ 300mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    67.62pF @ 20V
    0.89nC @ 4.5V
    6.93ns
    ±8V
    10.62 ns
    1.78A
    8V
    -
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    DRAIN
    无SVHC
    无
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