ES6U2T2R备选型号: DMP2104V-7

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    SILICON
    1.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    防静电
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    R-PDSO-F6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    110pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    5ns
    ±10V
    3 ns
    1.5A
    10V
    0.24Ohm
    20V
    Schottky Diode (Isolated)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET -20V -860mA
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    SILICON
    2.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    6
    -
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 950mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    320pF @ 16V
    -
    -
    ±12V
    -
    -950mA
    12V
    -
    -20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    6
    3.005049mg
    Automotive, AEC-Q101
    150mOhm
    Single
    170mW
    20V
    -1V
    1.2mm
    1.6mm
    600μm
    无SVHC
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