FCB070N65S3备选型号: STB42N60M2-EP

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 Power MOSFET, N Channel, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperFET® III
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    鸥翼
    245
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    312W
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 22A, 10V
    4.5V @ 4.4mA
    3090pF @ 400V
    78nC @ 10V
    ±30V
    44A
    4.5V
    30V
    0.07Ohm
    650V
    150°C
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    -
    -
    34A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2-EP
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    87m Ω @ 17A, 10V
    4.75V @ 250μA
    2370pF @ 100V
    55nC @ 10V
    ±25V
    34A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    STB42N
    600V
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