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首页 全部分类 FCD380N60E vs STD13N60M2

FCD380N60E备选型号: STD13N60M2

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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FCD380N60E
    ON Semiconductor
    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    15 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    10.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    SuperFET® II
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8541.29.00.95
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    FCD380N60
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    106W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1770pF @ 25V
    45nC @ 10V
    9ns
    600V
    ±20V
    10 ns
    10.2A
    TO-252AA
    30V
    650V
    211.6 mJ
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD13N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2
    -
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    STD13
    -
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    580pF @ 100V
    17nC @ 10V
    10ns
    600V
    ±25V
    9.5 ns
    11A
    -
    25V
    650V
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    380mOhm
    44A
    无
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