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首页 全部分类 FCD4N60TM vs FCD5N60TM-WS

FCD4N60TM备选型号: FCD5N60TM-WS

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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FCD4N60TM
    ON Semiconductor
    N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 3.9 A, 1.2 O, DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    3.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    1.2Ohm
    600V
    鸥翼
    3.9A
    FCD4N60
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    540pF @ 25V
    16.6nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    30 ns
    3.9A
    5V
    30V
    600V
    600V
    150°C
    5 V
    2.517mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    FCD5N60TM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    -
    4.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperFET™
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    FCD5N60
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    54W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    950m Ω @ 2.3A, 10V
    5V @ 250μA
    600pF @ 25V
    16nC @ 10V
    40ns
    ±30V
    22 ns
    4.6A
    -
    30V
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
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