FCD4N60TM备选型号: STD5N52K3

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 引脚数量
  • 配置
  • ON Semiconductor
    N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 3.9 A, 1.2 O, DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    3.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    1.2Ohm
    600V
    鸥翼
    3.9A
    FCD4N60
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    540pF @ 25V
    16.6nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    30 ns
    3.9A
    5V
    30V
    600V
    600V
    150°C
    5 V
    2.517mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD5N52K3 MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 525 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    4.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    1.5Ohm
    -
    鸥翼
    -
    STD5N
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    70W
    -
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 2.2A, 10V
    4.5V @ 50μA
    545pF @ 100V
    17nC @ 10V
    11ns
    ±30V
    16 ns
    4.4A
    3.75V
    30V
    525V
    -
    -
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    260
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK 对比
STD5N52K3 STD5N52K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 STMICROELECTRONICS STD5N52K3 MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 525 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V 对比
FCD5N60TM FCD5N60TM ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比