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首页 全部分类 FCD5N60TM-WS vs STD6NK50ZT4

FCD5N60TM-WS备选型号: STD6NK50ZT4

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FCD5N60TM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    4.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    FCD5N60
    Single
    增强型MOSFET
    54W
    12 ns
    N-Channel
    950m Ω @ 2.3A, 10V
    5V @ 250μA
    600pF @ 25V
    16nC @ 10V
    40ns
    ±30V
    22 ns
    4.6A
    30V
    600V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD6NK50ZT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    5.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    STD6N
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    12 ns
    N-Channel
    1.2 Ω @ 2.8A, 10V
    4.5V @ 50μA
    690pF @ 25V
    24.6nC @ 10V
    23.5ns
    ±30V
    23 ns
    5.6A
    30V
    500V
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    1.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    500V
    鸥翼
    260
    5.6A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    SWITCHING
    3.75V
    22.4A
    3.75 V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无铅
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