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首页 全部分类 FCH47N60 vs IPW60R070P6XKSA1

FCH47N60备选型号: IPW60R070P6XKSA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
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  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FCH47N60
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    47A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    600V
    未说明
    47A
    未说明
    FCH47N60
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    417W
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 23.5A, 10V
    5V @ 250μA
    8000pF @ 25V
    270nC @ 10V
    210ns
    ±30V
    75 ns
    47A
    TO-247AB
    30V
    0.07Ohm
    600V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R070P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    53.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 20.6A, 10V
    4.5V @ 1.72mA
    4750pF @ 100V
    100nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    4 ns
    53.5A
    -
    30V
    0.07Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    3
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    23 ns
    无卤素
    600V
    156A
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