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首页 全部分类 FCP190N60 vs IPP65R150CFDAAKSA1

FCP190N60备选型号: IPP65R150CFDAAKSA1

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  • 配置
  • 无卤素
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    FCP190N60
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel MOSFET SuperFET II
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    208W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    199m Ω @ 10A, 10V
    3.5V @ 250μA
    2950pF @ 25V
    74nC @ 10V
    10ns
    600V
    ±20V
    5 ns
    20.2A
    2.5V
    TO-220AB
    20V
    650V
    60.6A
    400 mJ
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP65R150CFDAAKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO-220-3
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    22.4A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    增强型MOSFET
    -
    12.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 9.3A, 10V
    4.5V @ 900μA
    2340pF @ 100V
    86nC @ 10V
    7.6ns
    -
    ±20V
    5.6 ns
    22.4A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    72A
    614 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    650V
    0.15Ohm
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