FDB20AN06A0备选型号: AUIRFS3806
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247g9A Ta 45A Tc2003PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJyesObsolete1 (Unlimited)60V45ASingle90WN-Channel20m Ω @ 45A, 10V4V @ 250μA950pF @ 25V19nC @ 10V98ns±20V33 ns45A20V60V符合RoHS标准无铅-----------------------
- MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-43A Tc2011HEXFET®Tube-55°C~175°C TJ-Discontinued1 (Unlimited)---71WN-Channel15.8m Ω @ 25A, 10V4V @ 50μA1150pF @ 50V30nC @ 10V40ns±20V47 ns43A20V60VROHS3 Compliant-Tin3SILICONe32EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE鸥翼26030R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN6.3 nsSWITCHING2V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS3806 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | 对比 |
![]() | HUFA75329S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | 对比 |




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