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FDB20AN06A0备选型号: IRFZ44NSTRLPBF
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- 包装
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247g9A Ta 45A Tc2003PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJyesObsolete1 (Unlimited)60V45ASingle90WN-Channel20m Ω @ 45A, 10V4V @ 250μA950pF @ 25V19nC @ 10V98ns±20V33 ns45A20V60V符合RoHS标准无铅-----------------------------
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-49A Tc2000HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ-活跃1 (Unlimited)55V49ASingle110WN-Channel17.5m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA1470pF @ 25V63nC @ 10V60ns±20V45 ns49A20V55VROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksTin3SILICONe32SMD/SMTEAR9917.5mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY鸥翼26030R-PSSO-G21增强型MOSFETDRAIN12 nsSWITCHING2V55V95 ns175°C4 V5.084mm10.668mm9.65mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS3806 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | 对比 |
| HUFA75329S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | 对比 |
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