您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDB2670 vs BUZ30AH3045AATMA1

FDB2670备选型号: BUZ30AH3045AATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDB2670
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    TO-263AB
    19A Ta
    -65°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -65°C
    200V
    19A
    Single
    93W
    N-Channel
    130mOhm @ 10A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1320pF @ 100V
    38nC @ 10V
    5ns
    200V
    ±20V
    23 ns
    19A
    20V
    200V
    1.32nF
    130mOhm
    130 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BUZ30AH3045AATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    125W
    N-Channel
    130m Ω @ 13.5A, 10V
    4V @ 1mA
    1900pF @ 25V
    -
    70ns
    -
    ±20V
    90 ns
    21A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    26 Weeks
    SILICON
    e3
    no
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    30 ns
    无卤素
    200V
    84A
    450 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比