注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.247606
10
¥14.384534
100
¥13.570314
500
¥12.80218
1000
¥12.077534
ON Semiconductor FDB2670
- 收藏
- 对比
FDB2670
1807-FDB2670
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDB2670详情
ON Semiconductor FDB2670重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
93W Tc
Turn Off Delay Time
26 ns
操作温度
-65°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
200V
额定电流
19A
元素配置
Single
功率耗散
93W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
130mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1320pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
19A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
输入电容
1.32nF
漏源电阻
130mOhm
最大rds
130 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDB2670拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。