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首页 全部分类 FDB2670 vs IRFS4620TRLPBF

FDB2670备选型号: IRFS4620TRLPBF

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 无铅
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDB2670
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    TO-263AB
    19A Ta
    -65°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -65°C
    200V
    19A
    Single
    93W
    N-Channel
    130mOhm @ 10A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1320pF @ 100V
    38nC @ 10V
    5ns
    200V
    ±20V
    23 ns
    19A
    20V
    200V
    1.32nF
    130mOhm
    130 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS4620TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    24A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    144W
    N-Channel
    77.5m Ω @ 15A, 10V
    5V @ 100μA
    1710pF @ 50V
    38nC @ 10V
    22.4ns
    -
    ±20V
    14.8 ns
    24A
    20V
    200V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    3
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13.4 ns
    SWITCHING
    0.0775Ohm
    100A
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    无
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