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FDB33N25TM备选型号: IRFS31N20DTRLP
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- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAKACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)7 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTin31.31247gSILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™2004e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9994MOhmFAST SWITCHING, AVALANCHE RATED鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET235WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING94m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA2135pF @ 25V48nC @ 10V230ns±30V120 ns33A3V30V250V3 V10.67mm4.83mm11.33mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK-14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3-SILICON31A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2000--不用于新设计1 (Unlimited)2EAR9982mOhm-鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET200WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING82m Ω @ 18A, 10V5.5V @ 250μA2370pF @ 25V107nC @ 10V38ns±30V10 ns31A5.5V30V200V5.5 V10.668mm4.826mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅200V31A200V420 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| STB30NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK | 对比 |
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