FDBL86366-F085备选型号: IPB160N08S403ATMA1
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- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
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- 无卤素
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- 下降时间(典型值)
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- 最大双电源电压
- 输入电容
- 最大rds
- 无铅
- MOSFET N-CH 80V 220A PSOF8ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)17 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSFN8850.0521mg220A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)Tin (Sn)245not_compliant未说明SingleN-Channel3m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA6320pF @ 40V112nC @ 10V80V±20V220AROHS3 Compliant-------------
- Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin TO-263 T/R-14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)7-160A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™--Obsolete1 (Unlimited)-----N-Channel3.2mOhm @ 100A, 10V4V @ 150μA7750pF @ 25V112nC @ 10V80V±20V160AROHS3 CompliantPG-TO263-7-32013175°C-55°C18 ns无卤素11ns38 ns20V80V7.75nF3.2 mΩ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB024N08BL7 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | Trans MOSFET N-CH 80V 229A 7-Pin(6 Tab) D2PAK T/R | 对比 | |
| FDBL0330N80 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerSFN | MOSFET N-CH 80V 220A 8PSOF | 对比 | |
![]() | IPB160N08S403ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin TO-263 T/R | 对比 |



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