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首页 全部分类 FDC3612 vs FDC3601N

FDC3612备选型号: FDC3601N

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
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  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    FDC3612
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    125MOhm
    Tin (Sn)
    100V
    DUAL
    鸥翼
    260
    2.6A
    30
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 2.6A, 10V
    4V @ 250μA
    660pF @ 50V
    20nC @ 10V
    3.5ns
    ±20V
    3.5 ns
    2.6A
    2.3V
    20V
    100V
    100V
    150°C
    2.3 V
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC3601N
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    500MOhm
    Tin (Sn)
    100V
    -
    鸥翼
    -
    1A
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    500m Ω @ 1A, 10V
    4V @ 250μA
    153pF @ 50V
    5nC @ 10V
    4ns
    -
    4 ns
    1A
    2.6V
    20V
    100V
    -
    -
    -
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    960mW
    700mW
    1A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
  • 添加型号
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