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首页 全部分类 FDC602P vs FDC608PZ

FDC602P备选型号: FDC608PZ

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  • 终端形式
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FDC602P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    5.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    35MOhm
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -5.5A
    1
    20V
    Single
    55A
    增强型MOSFET
    1.6W
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1456pF @ 10V
    20nC @ 4.5V
    11ns
    ±12V
    11 ns
    -5.5A
    -900mV
    12V
    -20V
    -20V
    150°C
    -900 mV
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC608PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    5.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    30MOhm
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -5.8A
    -
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    1.6W
    13 ns
    P-Channel
    -
    30m Ω @ 5.8A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1330pF @ 10V
    23nC @ 4.5V
    8ns
    ±12V
    8 ns
    5.8A
    -1V
    12V
    -20V
    -20V
    -
    -1 V
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    36mg
    20V
    20A
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