FDC602P备选型号: FDC637BNZ
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 端子表面处理
- MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON5.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001e3yes活跃1 (Unlimited)6SMD/SMTEAR9935MOhm-20VDUAL鸥翼-5.5A120VSingle55A增强型MOSFET1.6W15 nsP-ChannelSWITCHING35m Ω @ 5.5A, 4.5V1.5V @ 250μA1456pF @ 10V20nC @ 4.5V11ns±12V11 ns-5.5A-900mV12V-20V-20V150°C-900 mV1.1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--
- Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON6.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)6-EAR9924MOhm-DUAL鸥翼-1-Single-增强型MOSFET800mW8 nsN-ChannelSWITCHING24m Ω @ 6.2A, 4.5V1.5V @ 250μA895pF @ 10V12nC @ 4.5V6ns±12V6 ns6.2A800mV12V20V-150°C800 mV1.1mm--无SVHC无ROHS3 Compliant无铅36mgTin (Sn)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLMS2002TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP | 对比 |
| FDC608PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6 | 对比 | |
| FDC637BNZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |



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